[发明专利]一种闪存的结构无效
| 申请号： | 01129533.3 | 申请日： | 2001-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1393934A | 公开（公告）日： | 2003-01-29 |
| 发明（设计）人： | 谢荣裕;林经祥 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/105;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种闪存的结构，此结构包括一个电子陷入层、一个栅极与一个源极/漏极区，其中，电子陷入层是由一层第一氧化层、一层高介电常数材质的介电层与一层第二氧化层依序堆栈而成；而栅极配置在电子陷入层上；源极/漏极区则是配置在电子陷入层两侧的基底之中。采用本发明可以降低临界电压的变化量，进而提高闪存的资料保持特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 结构 | ||
【主权项】：
1、一种闪存的结构，包括：一个电荷陷入层；一个栅极，配置在电荷陷入层的第二氧化层上；以及一个源/漏极区，位于该电荷陷入层两侧的基底内，其特征是：该电荷陷入层包括一层第一氧化层，其位于一个基底上；一层高介电常数介电层，其位于第一氧化层上；一层第二氧化层，其位于高介电常数介电层上。
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