[发明专利]罩幕式只读存储器的制造方法

摘要

一种罩幕式只读存储器的制造方法，首先在一基底上形成埋入式位线，再在基底上形成栅极介电层与字符线，其中字符线与埋入式位线垂直。此时位于一对埋入式位线之间，并位于一条字符线下方的部分的基底作为一存储单元。接着在基底上覆盖第一介电层，再在第一介电层中形成数个编码窗口，位于部分的存储单元的上方。然后在编码窗口下方的存储单元中植入一离子，再在基底上形成第二介电层以填满所有编码窗口。

主权项

1.一种罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于：包括下列步骤：提供一基底；在该基底第一方向上形成复数条埋入式位线；在该基底上形成复数个栅极介电层，并在第二方向上形成复数条字符线，而位于该些埋入式位线之间，且以该等字符线下方的该基底部分作为复数个存储单元；在该基底上覆盖一第一介电层；在该第一介电层中形成复数个编码窗口，该些编码窗口位于一预定部分的该等存储单元的上方；在该些编码窗口的侧壁形成复数个间隙壁；以该第一介电层与该些间隙壁为罩幕，在该些编码窗口下方的该些存储单元中植入一离子；在该基底上形成一第二介电层以填满该些编码窗口。