[发明专利]磁致电阻存储器模块装置有效
| 申请号： | 01132983.1 | 申请日： | 2001-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN1343986A | 公开（公告）日： | 2002-04-10 |
| 发明（设计）人： | T·贝姆;D·戈格尔;M·弗雷塔格;S·拉默斯 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/02 | 分类号： | G11C11/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,张志醒 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及MRAM模块装置,在该装置上为提高组装密度,由存储阵列(A)和外围电路(P)组成的存储单元区相互嵌套在一起。 | ||
| 搜索关键词： | 致电 存储器 模块 装置 | ||
【主权项】：
1.由数量众多的存储单元区(A、P)组成的MRAM模块装置，这些存储单元区均由具有数量众多的存储单元(WML、TL、HML)的存储阵列(A)和围绕存储阵列(A)边缘的外围电路(P)组成，其中外围电路(P)如此围绕存储阵列(A)，以致在每个存储单元区(A、P)的俯视图中都有基本上为十字形的结构，并且存储单元区(A、P)这样相互嵌套，以致在各个行(1、2、3)中，存储单元区(A、P)都彼此错位地排列。
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