[发明专利]绝缘栅型半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 01133123.2 | 申请日： | 2001-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN1338781A | 公开（公告）日： | 2002-03-06 |
| 发明（设计）人： | 关川信之;木绵正明;安藤弥;平田光一 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰,梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种绝缘栅型半导体装置及其制造方法,栅电极10由在第1栅绝缘膜3上残存的第1多晶硅层4、在该多晶硅层4上已被重叠的第2多晶硅层8的部分和位于第2栅绝缘膜6A、6B上的第2多晶硅层8构成。由此,即使栅电极10的在第1栅绝缘膜3上的厚度与现有的栅电极的厚度相同,在第2栅绝缘膜6A、6B上的膜厚t2也比现有例的膜厚t1薄。由此,由于栅电极10与N+型源层11的台阶差、栅电极10与N+型漏层12的台阶差h2比以往的小,故可改善层间绝缘膜13的平坦性。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅型半导体装置，其特征在于：具备：在第1导电型的半导体衬底上形成的第1栅绝缘膜；与该第1栅绝缘膜邻接且具有比第1栅绝缘膜厚的膜厚的第2栅绝缘膜；在上述第1和第2栅绝缘膜上形成的栅电极；以及在离开上述栅电极的位置上形成的第2导电型的源层和漏层，上述栅电极由在上述第1绝缘膜上形成的第1硅层和第2硅层构成，其中，上述第2硅层重叠在上述第1硅层上，同时位于上述第2栅绝缘膜的一部分上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社，未经三洋电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01133123.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有话音通信的超声波诊断成像系统
- 下一篇：最优化网络传输功率的装置和方法
- 同类专利
- 专利分类
