[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

选择门区的半导体装置设有半导体层;形成于半导体层上的第1绝缘膜;形成于第1绝缘膜上的第1电极层;由贯通第1电极层及第1绝缘膜直达半导体层内形成的元件分离绝缘膜构成的元件分离区,元件分离区分离了元件区,与第1电极层自动匹配地形成元件分离区;形成于第1电极层及元件分离区上的第2绝缘膜,第2绝缘膜具有使第1电极层表面露出的开口部;形成于第2绝缘膜上及第1电极层中被露出的表面上的第2电极层,第2电极层通过开口部与第1电极层电连接。

主权项

1、一种半导体装置，包括：半导体层；形成于所述半导体层上的第1绝缘膜；形成于所述第1绝缘膜上的第1电极层；由贯通所述第1电极层及所述第1绝缘膜直达所述半导体层内形成的元件分离绝缘膜构成的元件分离区，所述元件分离区分离了元件区，与第1电极层自动匹配地形成所述元件分离区；形成于所述第1电极层及所述元件分离区上的第2绝缘膜，所述第2绝缘膜上具有使所述第1电极层表面露出的开口部；形成于第2绝缘膜上及所述第1电极层中被露出的所述表面上的第2电极层，所述第2电极层通过所述开口部与所述第1电极层电连接。