[发明专利]具有分级基区的横向晶体管,半导体集成电路及制造方法有效
| 申请号： | 01134756.2 | 申请日： | 2001-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN1381900A | 公开（公告）日： | 2002-11-27 |
| 发明（设计）人： | 山本诚;岩渕昭夫 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京银龙专利代理有限公司 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 横向pnp晶体管包括一个p型的半导体衬底,位于半导体衬底上的n型第一掩埋层,位于第一掩埋层的n型均匀基区,位于均匀基区内的n型第一隔离层,位于均匀基区内部和上表面上的p型第一发射区和第一集电区,位于均匀基区内的分级基区以及位于第一隔离层内的第一基极接触层。分级基区包围了第一主电极区的底部和侧面。介于第一发射区和第一集电区之间的分级基区的掺杂分布是杂质浓度从第一主电极区向第二主电极区逐渐减小。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 分级 横向 晶体管 半导体 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种横向晶体管，包括：第一导电型半导体衬底；位于上述半导体衬底上的第二导电型的掩埋层；位于上述第一掩埋层上的第二导电型的均匀基区；位于上述均匀基区上的第二导电型的隔离层，隔离层从上述均匀基区的上表面伸展以便可以触及到上述掩埋层；位于上述均匀基区内部和上表面上的第一导电型的第一和第二主电极区；以及位于上述均匀基区内的第二导电型的分级基区，包围了第一主电极区底部和侧面，分级基区具有杂质浓度从第一主电极区向第二主电极区减小的掺杂分布。这里，上述均匀基区和上述分级基区的组合作为第一基区。
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