[发明专利]通信系统用仪器和半导体集成电路装置有效
| 申请号： | 01135078.4 | 申请日： | 2001-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN1354568A | 公开（公告）日： | 2002-06-19 |
| 发明（设计）人： | 横川俊哉;高桥邦方;内田正雄;北畠真;楠本修 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H04B17/00 | 分类号： | H04B17/00;H01L29/16;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种通信系统用仪器,包括在SiC衬底上集成了肖特基二极管、MOSFET、电容器以及电感器的半导体装置。在SiC衬底10上,从下至上依次设置有把含有高浓度的n型杂质(氮)的δ掺杂层12a和非掺杂层12b相互叠层在一起形成的第一叠层部12;把含有高浓度的p型杂质(铝)的δ掺杂层13a和非掺杂层13b相互叠层在一起形成的第二叠层部13。δ掺杂层的载流子扩散到非掺杂层。而且,由于非掺杂层中的杂质浓度较低,所以杂质离子的散乱减少,能得到低电阻和高耐压值。适合配置在使用温度、空间上的限制等非常苛刻的条件下。 | ||
| 搜索关键词： | 通信 系统 仪器 半导体 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
1.一种通信系统用仪器，是配置在通信系统中，并具有用化合物半导体形成的有源元件的仪器，其特征在于：所述有源元件包括：设置在衬底上的化合物半导体层；设置在所述化合物半导体层上，并且使作为载流子飞越区域发挥作用的至少一个第一半导体层，和含有高浓度的载流子用杂质并且其膜厚度比所述第一半导体层更薄，并且因量子效应导致在其中能分布载流子的至少一个第二半导体层相互连接在一起而构成的活性区域。
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