[发明专利]用于检测半导体器件中的缺陷的装置及使用该装置的方法无效

专利信息
申请号: 01136425.4 申请日: 2001-10-16
公开(公告)号: CN1355558A 公开(公告)日: 2002-06-26
发明(设计)人: 金亮亨;姜孝千;金德容 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;G01N23/225
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 谢丽娜,谷惠敏
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供了用于检测半导体器件中的缺陷的方法和装置。所述半导体器件包含多个导电焊盘,例如可以形成在用于绝缘导电焊盘和导电焊盘之间的导线的绝缘层之间。在一些导电焊盘中、例如在导电焊盘的表面上积聚电子和/或空穴。积聚电子和/或空穴之后,基于从上述这些导电焊盘发射的次级电子,检测与一个导电焊盘相联系的差别。基于检测的差别确定缺陷的存在。
搜索关键词: 用于 检测 半导体器件 中的 缺陷 装置 使用 方法
【主权项】:
1.一种用于检测半导体器件中缺陷的方法,所述半导体器件包含多个导电焊盘,该方法包括:在多个导电焊盘中的一些导电焊盘中积聚电子;电子积聚在多个导电焊盘中的一些导电焊盘中之后,基于从上述这些导电焊盘发射的次级电子,检测在上述这些导电焊盘之间的第一差别;在多个导电焊盘中的一些导电焊盘中积聚空穴;空穴积聚在多个导电焊盘中的一些导电焊盘中之后,基于从上述这些导电焊盘发射的次级电子,检测在上述这些导电焊盘之间的第二差别;和基于第一差别和第二差别,确定在多个导电焊盘之一中是否存在缺陷。
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