[发明专利]双垂直通道薄膜电晶体及其制造方法有效
| 申请号： | 01136822.5 | 申请日： | 2001-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN1414640A | 公开（公告）日： | 2003-04-30 |
| 发明（设计）人： | 薛英家 | 申请（专利权）人： | 瀚宇彩晶股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/11;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种双垂直通道薄膜电晶体及其制造方法，包括闸极层形成于基板的表面，第一绝缘层形成于基板及闸极层的表面，半导体层形成于第一绝缘层的表面，使位于两边缘侧的第一绝缘层露出，分别于两侧形成有源/汲极，于垂直于源/汲极的第一绝缘层的两侧表面分别形成通道，通道之间形成掺杂区；第二绝缘层形成于通道及掺杂区的表面，并令半导体层两侧的源/汲极露出；金属层分别形成于源/汲极及露出的第一绝缘层的表面。双垂直通道薄膜电晶体具有双闸极与截距结构，具有大幅降低漏电流，且不需要另外使用额外的光罩来定义通道，降低制造成本、简化制程步骤；缩减通道长度至深亚微米程度，大幅地的提升组件的效能。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 通道 薄膜 电晶体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种双垂直通道薄膜电晶体，其特征是：适用于一基板，包括闸极层形成于该基板的表面；第一绝缘层形成于该基板及闸极层的表面；半导体层形成于该第一绝缘层的表面，并令位于两边缘侧的第一绝缘层露出，分别于两侧形成有源/汲极，且于大抵垂直于该源/汲极的第一绝缘层的两侧表面分别形成有一通道，该通道之间形成一掺杂区；第二绝缘层形成于该通道及掺杂区的表面，并令该半导体层两侧的源/汲极露出；金属层分别形成于该源/汲极及露出的第一绝缘层的表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瀚宇彩晶股份有限公司，未经瀚宇彩晶股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01136822.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：热敏长循环脂质体制剂
- 下一篇：一种快速降解植物残余农药的光物理方法
- 同类专利
- 专利分类
