[发明专利]用于制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 01139471.4 | 申请日： | 1995-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN1395286A | 公开（公告）日： | 2003-02-05 |
| 发明（设计）人： | 中嶋节男;山崎舜平;楠本直人;寺本聪 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;G02F1/133;H01L21/20;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在制造一种薄膜晶体管中，在一个衬底上形成一个非晶硅膜之后，通过利用含有作为促进硅结晶的金属元素的镍的溶液(乙酸镍溶液)的旋涂和通过热处理来形成一个硅化镍层。该硅化镍层选择地被构图以便形成岛状硅化镍层。非晶硅膜被构图。在移动激光器时辐照激光，以致于从硅化镍层被形成的区域产生晶体生长，和获得一个等效于单晶(单域区)的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造具有至少一个薄膜晶体管的半导体器件的方法，所述方法包括步骤：在一个绝缘表面上形成包括硅的一个半导体膜；用一个具有在一个方向上的伸长的横截面的线状激光束辐照所述半导体膜；在垂直于所述线状激光束的伸长的横截面的伸长方向的一个方向上移动所述半导体膜，据此使所述半导体膜结晶；在所述结晶的半导体薄膜上构图，以形成所述薄膜晶体管的一个工作层，其中，所述结晶的半导体薄膜包含浓度为1×1017至5×1019原子/cm-3的氢，分别有浓度为1×1016至5×1018原子/cm-3的碳和氮，和浓度为1×1017至5×1019原子/cm-3的氧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
