[发明专利]磷化镓发光组件的制造方法以及制造装置无效
| 申请号： | 01141187.2 | 申请日： | 2001-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1345096A | 公开（公告）日： | 2002-04-17 |
| 发明（设计）人： | 樋口晋;鈴木由佳里;川崎真;相原健 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 孙敬国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 让GaP磊晶晶圆之第一主表面侧接触于Ga溶液,对于与该Ga溶液相接之周围环境气氛供给作为氮源之NH3气体,以进行N掺杂之GaP层的液相磊晶生长。接着,于该制程中使得Ga溶液之周围环境气氛之氨浓度做阶段性或连续性的增加。 | ||
| 搜索关键词： | 磷化 发光 组件 制造 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磷化镓发光组件的制造方法，系具有一磷化镓层之液相磊晶生长制程；其特征在于，前述液相磊晶生长制程，系包含一以氨气为氮源使用之氮掺杂之磷化镓层之生长制程，在该氮掺杂之磷化镓层生长之际，让前述液相磊晶生长暂时停止，在该状态下将前述周围环境气氛之氨浓度做阶段性或连续性的增加。
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