[发明专利]形成沟道金属氧化物半导体器件和端子结构的方法

摘要

公开了一种同时制造沟道MOS器件和端子结构的方法。根据所制备的半导体衬底,MOS器件可以是肖特基二极管、IGBT或DMOS。包括步骤形成多个用于在有源区内形成沟道MOS器件的第一沟道,以及用于形成端子结构的第二沟道。进行热氧化工艺以在所有各区形成栅氧化层。利用第一导电材料回填第一沟道和第二沟道。深蚀刻以去除多余第一导电材料从而在所述第二沟道内形成间隔物并仅填充第一沟道。去除栅极氧化层。对于IGBT或DMOS器件,要求附加进行热氧化和蚀刻步骤,而对于肖特基二极管可以省略。此后,利用淀积、光刻工艺和蚀刻,形成端子结构氧化层。去除背面多余层后,依次进行溅射金属层淀积、光刻和蚀刻工艺以在半导体衬底的两侧形成第一电极和第二电极。

主权项

1.一种同时制造沟道MOS器件和端子结构的方法，所述方法包括以下步骤：提供半导体衬底；形成：多个第一沟道，用于在半导体衬底的有源区内形成所述沟道MOS器件；以及第二沟道，用于从所述有源区的边界到所述半导体衬底的边缘形成所述端子结构，利用台地将所述第二沟道与所述第一沟道隔开；进行热氧化工艺以在所述半导体衬底的所有各区形成栅氧化物；利用第一导电材料回填所述多个第一沟道和所述第二沟道；利用所述台地的所述半导体衬底的表面作为蚀刻阻挡层进行深蚀刻工艺，并在所述第二沟道的侧壁上形成间隔物；利用所述台地的所述半导体衬底的所述表面作为蚀刻阻挡层，去除所述栅极氧化层；在所述半导体衬底的所有各区形成端子结构氧化层；在所述端子结构氧化层上形成光刻胶图形以限定绝缘区并暴露出从所述有源区到所述间隔物的区域；利用所述光刻胶图形作为掩模，蚀刻掉所述暴露区；剥离所述光刻胶图形；去除所述半导体衬底背面的多余层以暴露出所述半导体衬底；在所述半导体衬底的所有各区上形成第二导电材料；在所述第二导电材料上形成光刻胶图形以确定电极；以及刻蚀掉所述第二导电材料的暴露部分以形成所述电极。