[发明专利]设计电子束掩模的方法和装置无效
| 申请号： | 01142254.8 | 申请日： | 2001-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN1347012A | 公开（公告）日： | 2002-05-01 |
| 发明（设计）人： | 小日向秀夫 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F1/16;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,方挺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在设计EB(电子束)掩模的方法中,包含步骤(a)－(d)。步骤(a)将集成电路图形分为两个互补图形。步骤(b)围绕包含在所述两个互补图形之一中的一个作为目标图形的小图形进行扫描,并测量从所述目标图形到与所述目标图形邻近的小图形之间的距离。步骤(c)寄存从所述目标图形到所述相邻小图形之间的最小距离。步骤(d)基于所述最小距离改变至少一个所述小图形的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 设计 电子束 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种设计电子束(EB)掩模的方法，包括步骤：(a)将集成电路图形分为两个互补图形；(b)围绕包含在所述两个互补图形之一中的一个作为目标图形的小图形进行扫描，同时测量从所述目标图形到与所述目标图形相邻的所述小图形的距离；(c)记录从所述目标图形到所述相邻小图形之间的最小距离；和(d)基于所述最小距离改变至少一个所述小图形的形状。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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