[发明专利]硅片的制造方法和硅片有效
| 申请号： | 01142424.9 | 申请日： | 2001-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN1356720A | 公开（公告）日： | 2002-07-03 |
| 发明（设计）人： | 中田嘉信;白木弘幸 | 申请（专利权）人： | 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 魏金玺,钟守期 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 具有在气氛气体G中将硅片W热处理,在其内部新形成空位的热处理工序,该热处理工序的上述气氛气体含有比N2可能分解的温度还低的分解温度的氮化气体。在硅片的制造方法和硅片中,谋求热处理的低温化或短时间化,抑制滑移发生,得到良好的表面粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅片的制造方法，其特征在于：具有在气氛气体中热处理硅片，在内部新形成空位的热处理工序，上述热处理工序的上述气氛气体含有比N2可能分解的温度还低的分解温度的氮化气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
