[发明专利]像素暗点化方法无效
| 申请号： | 01142427.3 | 申请日： | 2001-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN1356680A | 公开（公告）日： | 2002-07-03 |
| 发明（设计）人： | 松浦祯亮;濑川泰生;德永雅彦 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | G09G3/36 | 分类号： | G09G3/36;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈景峻,王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 可靠地进行不良像素的暗点化。用激光切断连接多晶硅层20和像素电极28的触点26的周围来形成区域50。通过该切断区域50还切断触点26周边的多晶硅层20。由此,使TFT24和像素电极28及辅助电容电极32断开,可靠地进行暗点化。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 点化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种像素暗点化方法，通过对每个像素设置的薄膜晶体管来控制施加到对应的像素电极的电压，从而进行显示装置中的不良像素的暗点化，其特征在于，在连接所述薄膜晶体管的电极和像素电极的触点附近，通过用激光切断像素电极的一部分，来断开触点和像素电极，使对应像素暗点化。
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