[发明专利]一种半导体器件的制造方法无效
申请号: | 01142960.7 | 申请日: | 1995-02-03 |
公开(公告)号: | CN1361551A | 公开(公告)日: | 2002-07-31 |
发明(设计)人: | 大谷久;宫永昭治;竹山顺一 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;G02F1/136 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 郭广迅 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种制造具有结晶硅膜的半导体器件的方法,它由在非晶硅膜的表面区域形成晶核和利用激光从晶核生长晶体两个步骤组成。典型的晶核是硅晶体或具有与硅晶体相同结构的金属硅化物。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,其包括:基片;多个像素,每个像素包含在所述基片之上以矩阵形式排列的第一薄膜晶体管;至少一个用于驱动所述多个像素的驱动电路,其包含多个在所述基片之上形成的第二薄膜晶体管;包含多个在所述基片之上形成的第三薄膜晶体管的存储器,其中所述第一、第二和第三薄膜晶体管中的每一个包含沟道,所述沟道含有沿平行于所述基片的方向延伸的结晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的