[发明专利]双层硅碳化合物阻障层有效
| 申请号： | 01143894.0 | 申请日： | 2001-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN1427476A | 公开（公告）日： | 2003-07-02 |
| 发明（设计）人： | 杨能辉;蔡正原;吴欣昌 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/3205;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陈小雯,肖鹂 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种应用于半导体集成电路中的双层硅碳化合物阻障层及其形成方法。本发明的双层硅碳化合物阻障层覆盖于一金属导线层以及一第一介电层上。该双层硅碳化合物阻障层利用等离子体加强化学气相沉积制作工艺形成，其具有一氮掺杂硅碳化合物底层以及一氧掺杂硅碳化合物上层。此外，该氮掺杂硅碳化合物底层具有一最小厚度，用以避免该金属导线层的金属原子扩散至一第二介电层中，同时避免该掺杂氧硅碳化合物上层中的氧原子扩散至该金属导线层中。 | ||
| 搜索关键词： | 双层 碳化 阻障 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路(integratedcircuit)，其包括有：至少一金属导线层，镶嵌于一第一介电层表面上；一复层硅碳化合物阻障层(multi-layerSiC-basedbarrier)，覆盖于该金属导线层以及该第一介电层上；以及一第二介电层，覆盖于该双层硅碳化合物阻障层上。
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