[发明专利]半导体存储器中高速读出操作的方法和装置有效

专利信息
申请号: 01145304.4 申请日: 2001-12-31
公开(公告)号: CN1380698A 公开(公告)日: 2002-11-20
发明(设计)人: 内田敏也;松崎康郎 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: H01L27/10 分类号: H01L27/10;G11C11/4091
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王永刚
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 数据被存储到多个第一存储器块中,而用来再生此数据的再生数据被存储到第二存储器块中。在读出操作中,直接从被选择的第一存储器块读出数据,或从存储在未被选择的第一存储器块中的数据以及存储在第二存储器块中的再生数据来再生此数据。就有可能在此第一存储器块的读出操作过程中执行一个额外的读出操作。因此,来自外部的读出操作请求能够在短于读出周期的间隔内被接收。亦即,半导体存储器能够以更高的速度运行,其数据读出速率得以改善。
搜索关键词: 半导体 存储器 中高 速读 出操 方法 装置
【主权项】:
1.一种半导体存储器的操作方法,它包含下列步骤:在写入操作中,将数据写入到选自多个第一存储器块中的一个第一存储器块中,并将用来产生存储在所述第一存储器块中的所述数据的再生数据写入到第二存储器块;以及在读出操作中执行第一操作或第二操作,以便读出所述数据,所述第一操作用来直接从被选择的所述第一存储器块读出所述数据,所述第二操作用来从存储在未被选择的第一存储器块中的所述数据以及存储在所述第二存储器块中的所述再生数据,再生所述数据。
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