[发明专利]表面声波器件及其所用的压电基体无效
| 申请号： | 01145485.7 | 申请日： | 2001-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1359194A | 公开（公告）日： | 2002-07-17 |
| 发明（设计）人： | 井上憲司;佐藤胜男;守越広树;川嵜克己;佐藤淳 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H03H9/64 | 分类号： | H03H9/64 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 冯谱 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种紧凑并且频带宽的用于中频的表面声波器件。也公开了一种具有高的机电耦合因子和低的SAW速度的用于表面声波器件的压电基体。表面声波器件由压电基体1和成型于压电基体1上的交叉指型电极2,2组成。压电基体1具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构,可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示。发现用欧拉角(Φ,θ,φ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为－2.5°≤Φ≤2.5°,30°≤θ≤90°,和－65°≤φ≤65°的区内。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 声波 器件 及其 所用 压电 基体 | ||
【主权项】：
1.一种表面声波器件，包括压电基体和成型于压电基体上的交叉指型电极，其中：压电基体具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构，可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示；和发现用欧拉角(Φ，θ，φ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为-2.5°≤Φ≤2.5°，30°≤θ≤90°，和-65°≤φ≤65°的区内。
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