[实用新型]一种电流调制增益耦合激光器无效
| 申请号： | 01204407.5 | 申请日： | 2001-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN2468193Y | 公开（公告）日： | 2001-12-26 |
| 发明（设计）人： | 朱洪亮;王圩;刘国利;张子莹 | 申请（专利权）人： | 北京福创光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京元中专利事务所 | 代理人： | 王明霞 |
| 地址： | 1000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种电流调制增益耦合激光器,可直接制作在衬底上并具有平面光栅结构的电流调制增益耦合分布反馈DFB激光器。适于制作含DFB的集成器。其结构是在InP衬底上表面生长一层介质膜,以介质膜光栅图形为掩体向衬底作选择离子注入,在栅格间隙的衬底表面层内形成离子注入区光栅,除去介质掩膜,在平整的光栅面上连续外延生长缓冲层、MQW有源层和上掩埋层等层结构,用光刻技术作出脊形波导激光器。具有制作成本低、器件性能可靠等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电流 调制 增益 耦合 激光器 | ||
【主权项】：
1、一种电流调制增益耦合激光器，其特征在于在InP衬底上表面生长一层介质膜，以介质膜光栅图形为掩体向衬底作选择离子注入，在栅格间隙的衬底表面层内形成离子注入区光栅，除去介质掩膜，在平整的光栅面上连续外延生长缓冲层、MQW有源层和上掩埋层等层结构，用光刻技术作出脊形波导激光器。
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