[实用新型]加有离子源的有机蒸发镀膜装置无效
| 申请号： | 01208448.4 | 申请日： | 2001-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN2466159Y | 公开（公告）日： | 2001-12-19 |
| 发明（设计）人： | 初国强;刘星元;刘云;王立军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/46 | 分类号： | C23C14/46 |
| 代理公司： | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人： | 李恩庆 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本实用新型是一种附加有离子源的真空有机蒸发镀膜装置,本实用新型是在普通的真空镀膜机上,另外加装一个考夫曼离子源。所加的考夫曼离子源是在衬底基片的下面,同蒸发源等高的位置上,发出的离子束射向衬底基片,用导线和管道同外部的电源和气体源相连。本实用新型可以提高有机层的聚集密度,降低有机层表面粗糙度,提高迁移率和寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 离子源 有机 蒸发 镀膜 装置 | ||
【主权项】：
1、一种加有离子源的有机蒸发镀膜成膜装置，在一密闭容器中包括有加热器(1)，控制片(2)，真空接口(7)，衬底基片3放在加热器(1)和控制片(2)的下面，蒸发源(6)的上面，使衬底基片(3)在加热器(1)和蒸发源(6)之间，其特征是在密闭容器中增加设有考夫曼离子源(5)，考夫曼离子源(5)的高度同蒸发源(6)相近，发出的离子束(4)射向衬底基片(3)，用导线和管道同外部的电源和气体源(8)连接。
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