[实用新型]多倍频程砷化镓微波单片集成矢量调制器无效
| 申请号： | 01217570.6 | 申请日： | 2001-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN2468247Y | 公开（公告）日： | 2001-12-26 |
| 发明（设计）人： | 戴永胜;陈堂胜;刘琳 | 申请（专利权）人： | 信息产业部电子第五十五研究所 |
| 主分类号： | H04Q7/32 | 分类号： | H04Q7/32;H01P1/18 |
| 代理公司： | 南京经纬专利代理有限责任公司 | 代理人： | 沈廉 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 多倍频程砷化镓微波单片集成矢量调制器是一种主要用于移动通信、雷达、电子对抗和仪器等电子系统和设备中作为相位和幅度连续可调的电子部件,该多倍频程砷化镓微波单片集成矢量调制器由180度开关型数字移相电路和180度反射型模拟移相电路及低相移幅度调整电路相串联所组成,P1为信号输入端,P2为信号输出端,移相电路上接有互补控制端K1、K2,K3,低相移幅度调整电路上接有控制端K4、K5,控制信号参考电压端Vr分别与上述的三个电路相接。 | ||
| 搜索关键词： | 倍频 程砷化镓 微波 单片 集成 矢量 调制器 | ||
【主权项】：
1.一种多倍频程砷化镓微波单片集成矢量调制器，由微带交指型耦合器，移相电路及低相移幅度调整电路组成，其特征在于该多倍频程砷化镓微波单片集成矢量调制器由180度开关型数字移相电路(1)和180度反射型模拟移相电路(2)及低相移幅度调整电路(3)依次相串联所组成，180度开关型数字移相电路输入端P1为信号输入端，低相移幅度调整电路(3)输出端P2为信号输出端，180度开关型数字移相电路(1)上接有互补控制端K1、K2，180度反射型模拟移相电路(2)上接有控制端K3，低相移幅度调整电路(3)上接有控制端K4、K5，控制信号参考电压端Vr分别与上述的三个电路相接。
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