[实用新型]纳米光－热伏电池无效
| 申请号： | 01237286.2 | 申请日： | 2001-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN2479646Y | 公开（公告）日： | 2002-02-27 |
| 发明（设计）人： | 陈钟谋 | 申请（专利权）人： | 陈钟谋 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L35/00 |
| 代理公司： | 江苏省专利事务所 | 代理人： | 何朝旭 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种纳米光一热伏电池,包括导体衬底、扩散层、高渗杂扩散层,以及分别从衬底和高渗杂扩散层引出的电极。此外,还含有离子注入层,所述离子注入层夹在衬底与高渗杂扩散层之间,形成两个PN结。高渗杂扩散层覆盖离子注入层,使其厚度在1nm—100nm之间。本实用新型真正实现了将太阳光能、辐射热能以及光电转换过程中的热能均转换成电能,因此转换效率大大提高,性价比产生了飞跃,可以工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 电池 | ||
【主权项】：
1.一种纳米光-热伏电池，包括半导体衬底、扩散层、高渗杂扩散层，以及分别从衬底和高渗杂扩散层引出的电极，其特征在于：还含有离子注入层，所述离子注入层夹在衬底与高渗杂扩散层之间，形成两个PN结，所述离子注入层为高渗杂扩散层覆盖，厚度在1nm-100nm之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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