[实用新型]硅锗/硅异质结内发射红外探测器无效
| 申请号： | 01246269.1 | 申请日： | 2001-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN2480823Y | 公开（公告）日： | 2002-03-06 |
| 发明（设计）人： | 张翔九;胡际璜 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G01J1/00 | 分类号： | G01J1/00;H01L31/0264 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型属红外探测器技术领域,具体为一种3—5μmSiCe/Si异质结内发射红外探测器。其中的红外探测窗口为由分子束外延长的Si1—xGex/Si异质结材料。该红外探测器工作波段为3-5μm,工作温度为80K,最高可达到105K,具有良好的性能。例在室温环境中可以用液态氮作致冷剂进行工作,而在太空中(温度为105K)则不需要任何制冷剂而工作;探测器还具有高的黑体响应率和黑体探测率;可采用大尺寸硅片研制;成品率高,均匀性好,适宜于制作大规模红外探测器焦平面阵列;有优越的性能价格比。 | ||
| 搜索关键词： | 硅锗 硅异质结内 发射 红外探测器 | ||
【主权项】：
1、一种SiGe/Si异质结内光电发射红外探测器，由硅衬底片、及硅衬底片上制作的SiO2层、硼扩散区、淡磷扩散区、浓磷扩散区、红外探测窗口和电极组成，其特征在于红外探测窗口采用分子束外延生长的Si1-xGex/Si异质结材料；合金Si1-xGex中，0.45≤x≤0.55，厚度为100-120埃，p型掺杂源为B2O3，p型掺杂浓度为1020/cm3数量级。
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