[实用新型]制备超硬薄膜的离子源装置的滤质器无效
| 申请号： | 01247038.4 | 申请日： | 2001-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN2503687Y | 公开（公告）日： | 2002-07-31 |
| 发明（设计）人： | 赵玉清 | 申请（专利权）人： | 陕西百纳科技发展有限责任公司 |
| 主分类号： | H05H1/16 | 分类号： | H05H1/16 |
| 代理公司： | 西安新思维专利事务所有限公司 | 代理人： | 徐平 |
| 地址： | 710061 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种制备超硬薄膜的离子源装置的滤质器,包括滤质管、设置于滤质管外部且与磁场电源相接的螺线管、设置于滤质管出口处的出口光阑,所述滤质管内设置有捕集器,所述螺线管由导线绕制而成,所述的滤质管为波纹管结构;所述的滤质管为弯管。本实用新型结构简单,制作简便,磁场强度、滤质管长度及曲率半径可调,能可靠滤除大颗粒及中性粒子。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 薄膜 离子源 装置 滤质器 | ||
【主权项】：
1、一种制备超硬薄膜的离子源装置的滤质器，包括滤质管(2)、设置于滤质管(2)外部且与磁场电源(1)相接的螺线管(3)、设置于滤质管(2)出口处的出口光阑(5)，所述滤质管(2)内设置有捕集器(4)，所述螺线管(3)由导线绕制而成，其特征在于：所述的滤质管(2)为波纹管结构；所述的滤质管(2)为弯管，其曲率半径为90～120°，所述绕制螺线管(3)的安匝数是可产生10～40mT可调磁场的安匝数。
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