[发明专利]半导体晶片及其制造方法无效
| 申请号： | 01800521.7 | 申请日： | 2001-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1364309A | 公开（公告）日： | 2002-08-14 |
| 发明（设计）人： | 神泽好彦;能泽克弥;斋藤彻;久保实 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 对沉积了SeGeC晶体层8的Si衬底1进行热退火处理,从而在硅衬底1上形成退火SiGeC晶体层10,该退火SiGeC晶体层10由被晶格驰豫、且几乎没有位错的矩阵SiGeC晶体层7和分散在矩阵SeGeC晶体层7中的SiC微晶体6构成。然后,在退火SeGeC晶体层10上沉积Si晶体层,而形成很少有位错的应变Si晶体层4。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体晶片，备有：由Si晶体构成的衬底，设在上述衬底上的、其平面内的晶格常数比上述衬底的晶格常数大的晶体层，其中：至少上述晶体层的一部分，是Si、Ge和C构成的、且有SiC晶体分散在其中的晶体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01800521.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
