[发明专利]SiGeC半导体结晶及其制造方法有效
| 申请号： | 01800687.6 | 申请日： | 2001-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1365522A | 公开（公告）日： | 2002-08-21 |
| 发明（设计）人： | 斋藤彻;神泽好彦;能泽克弥;久保实 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/161 | 分类号： | H01L29/161;H01L21/205;H01L21/26;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
在Si衬底101上,利用UHV－CVD法,使B掺杂Si1－x－yGexCy层102(0 | ||
| 搜索关键词： | sigec 半导体 结晶 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SiGeC半导体结晶的制造方法，其特征是：包括：在衬底上，使具有用添加了载流子用杂质的Si1-x-yGexCy(0＜x＜1，0.01≤y＜1)所表示的组成的SiGeC半导体结晶外延成长的步骤(a)；实施用于使所述SiGeC半导体结晶中的载流子用杂质活性化的热处理的步骤(b)。
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