[发明专利]双极晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 01801372.4 | 申请日： | 2001-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN1398432A | 公开（公告）日： | 2003-02-19 |
| 发明（设计）人： | 浅井明;大西照人;高木刚 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种新型双极晶体管及其制造方法。在Si衬底的集电极层102上，顺序外延生长SiGe衬垫层151、含硼的倾斜SiGe基极层152和Si盖层153。在Si盖层153上形成具有基极开口部118的第2堆积氧化膜112和填埋基极开口部并构成发射极引出电极的P+多晶硅层115，在Si盖层153上扩散磷形成发射极扩散层153a。在生长Si盖层153时、由于采用in－situ掺杂、仅仅在Si盖层153的上部含有硼，因而减少了耗尽层154的宽度、减少了复合电流、提高了电流特性的线性度。 | ||
| 搜索关键词： | 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双极晶体管，它具备：第1半导体层、第2半导体层、第3半导体层、绝缘膜、开口部和发射极引出电极；所述第1半导体层设在衬底上、含有第1导电型杂质、构成集电极层，所述第2半导体层设在所述第1半导体层上、含有第2导电型杂质、构成基极层，所述第3半导体层设在所述第2半导体层上、由与所述第2半导体层禁带宽度不同的材料组成，所述绝缘膜设置在所述第3半导体层上，开口部设置在所述绝缘膜上并到达所述第3半导体层，发射极引出电极由导体材料构成、填埋所述绝缘膜开口部并与所述第3半导体层接触；所述第3半导体层具有位于所述开口部下方的第1导电型发射极扩散层和位于该发射极扩散层侧方区域、至少其上部含有第2导电型杂质的周边层。
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