[发明专利]电子器件制造无效
| 申请号： | 01801596.4 | 申请日： | 2001-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1383580A | 公开（公告）日： | 2002-12-04 |
| 发明（设计）人： | N·D·杨;J·R·A·艾尔斯;S·D·布拉泽顿;C·A·费希尔;F·W·罗尔芬格 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇,梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种包括薄膜晶体管的电子器件的制造方法,提出了在自对准薄膜晶体管中断态电流增长和载流子迁移率减小的问题。根据此方法,在掩模层(20,48)下面深蚀刻栅层(2,46)。接着利用掩模层作为注入掩模进行注入步骤,深蚀刻露出注入物损害,然后通过能量束(42)给注入物损害退火。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种包括薄膜晶体管的电子器件的制造方法，包括步骤：(a)在绝缘膜上淀积栅层，所述绝缘层位于半导体膜上；(b)限定在栅层上布图的掩模层；(c)利用掩模层蚀刻以布图栅层；(d)利用掩模层和/或栅层作为注入掩模，注入半导体膜；(e)在掩模层下深蚀刻栅层；(f)除去掩模层；和(g)用能量束给半导体膜退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
