[发明专利]结构评价方法、半导体装置的制造方法及记录媒体

摘要

一种结构评价方法、半导体装置的制造方法和记录媒体,是在设定工艺条件的初始推定值并利用工艺模拟器进行半导体器件的要素的结构的推定之后,计算物理量测定值的预想值。并且,将通过光学的评价方法得到的半导体器件的要素的物理量的实测值与理论计算值相互进行比较,利用例如急速下降法等,求出测定的半导体器件的要素的更正确的结构。利用该结果可以修改其他半导体器件的要素的工艺的工艺条件。

主权项

1.一种结构评价方法，其特征在于：包括以下步骤：利用光学的评价方法得到半导体器件的要素的物理量的多个实测值的步骤(a)、假定用于形成所述要素的工艺条件并通过计算求出经过使用该假定工艺的工艺而形成的所述要素的结构的步骤(b)、计算利用所述光学的评价方法得到在所述步骤(b)求出的所述要素的结构的物理量的多个测定值的预想值的步骤(c)、根据所述要素的物理量的所述多个实测值和使多个测定值的预想值推定所述要素的结构的步骤(d)。