[发明专利]一种具有多孔绝缘层和空气隙的半导体设备的制造方法无效
| 申请号： | 01802641.9 | 申请日： | 2001-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN1388989A | 公开（公告）日： | 2003-01-01 |
| 发明（设计）人： | W·F·A·贝斯林;C·A·H·A·穆特塞尔斯;D·J·格拉维斯泰恩 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体设备的制造方法,该方法包括一个双重镶嵌结构(20)。此双重镶嵌结构(20)包括一个金属层(1)及位于金属层(1)之上的带有通路(3)的第一绝缘层(2)。在第一绝缘层(2)之上是一个带有互连槽(6)的第二绝缘层(5)。在通路(3)和互连槽(6)内填充金属,构成一个带顶面(10)的金属芯(9)。该方法还包括以下步骤去掉第二绝缘层(5),在第一绝缘层(2)和金属芯(9)上覆盖一层可移除层(12),将可移除层(12)与金属芯(9)的顶面(10)对齐,在可移除层(12)上覆盖一个多孔绝缘层(13),通过多孔绝缘层(13)去除可移除层(12)形成空气隙(14)。根据本发明,第二金属层(5)用做生成金属芯(9)的牺牲层。在金属芯(9)生成以后,通过去掉第二绝缘层(5),可使金属芯(9)突出于第一绝缘层(2)的表面之上。这样,就可在金属芯(9)周围形成空气隙(14)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 多孔 绝缘 空气 半导体设备 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体设备的制造方法，该方法包括一个双重镶嵌结构(20)，此双重镶嵌结构包括一个金属层(1)及位于金属层(1)之上的带有通路(3)的第一绝缘层(2)，在第一绝缘层(2)之上，带有互连槽(6)的第二绝缘层(5)，其中通路(3)和互连槽(6)中存在有顶面(10)的金属线路(9)形成的金属，其特征在于，所述方法还包括以下步骤-去除第二绝缘层(5)，-在第一绝缘层(2)和金属线路(9)上添加可移除层(12)，-将可移除层(12)与金属线路(9)的顶面(10)对齐，-在可移除层(12)上添加一个多孔绝缘层(13)，-通过多孔绝缘层(13)去除可移除层(12)来形成空气隙(14)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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