[发明专利]半导体电感器及其制造方法有效
| 申请号： | 01802723.7 | 申请日： | 2001-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1388977A | 公开（公告）日： | 2003-01-01 |
| 发明（设计）人： | S·波斯拉 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/04 | 分类号： | H01F41/04;H01F17/00;H01L23/64 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,王忠忠 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体电感器以及半导体电感器的制造方法。衬底(100)上安置有氧化层(122),对它进行刻蚀以便在氧化层(122)里形成互联金属化沟槽(130)。对氧化层(122)进行刻蚀以便在氧化层(122)里形成第一电感器沟槽(128),这样第一电感器沟槽(128)按电感器几何形状确定。于是氧化层再被刻蚀以便在互联金属化沟槽里形成至少一个通道,以及在氧化层里第一电感器沟槽之上形成第二电感器沟槽。第二电感器沟槽也具有电感器几何形状。氧化层(122)刻蚀后,用铜填充至少一个通道、第二电感器沟槽、互联金属化沟槽以及第一电感器沟槽。由此构建成低电阻低并且品质因子高的半导体电感器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 电感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，该半导体器件的衬底上配置有电感器结构及导电通道，该方法包括以下步骤：-提供表面布置有导电图形的衬底，该表面上有第一介电层；-在第一介电层里形成通道沟槽及电感器沟槽，这样第二电感器沟槽具有电感器几何形状；-在第一介电层里形成互联金属化沟槽和附加的电感器沟槽，该电感器沟槽具有电感器几何形状；以及-用导电材料填充所述的沟槽，以此衬底表面的图形，填充的通道沟槽以及填充的互联金属化沟槽确定了通道，并且以此电感器沟槽和附加的电感器沟槽确定了电感器结构。
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