[发明专利]薄膜半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 01802773.3 | 申请日： | 2001-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN1393032A | 公开（公告）日： | 2003-01-22 |
| 发明（设计）人： | 次六宽明;宫坂光敏;小川哲也;时冈秀忠 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社;三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明旨在实现在较低的温度下制造优质薄膜半导体装置。在设置局部加热机构后形成活性半导体膜，对活性半导体膜照射脉冲激光进行熔融结晶化。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜半导体装置的制造方法，其特征在于，这种利用基片上形成的半导体膜作为半导体装置的激活区(半导体装置激活区)的薄膜半导体装置的制造方法包括如下各工序：在基片上设置对后来成为半导体装置激活区的半导体膜(活性半导体膜)部位进行局部加热之局部加热机构的加热机构形成工序；在所述加热机构形成工序后形成活性半导体膜的活性半导体膜形成工序；在所述局部加热机构使所述活性半导体膜局部过热的状态下，使所述活性半导体膜熔融结晶化的结晶化工序；以及对所述活性半导体膜作岛状加工来形成半导体装置激活区的元件分离工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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