[发明专利]制造自旋阀结构的方法无效
| 申请号： | 01802787.3 | 申请日： | 2001-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN1393022A | 公开（公告）日： | 2003-01-22 |
| 发明（设计）人： | M·F·吉利斯;A·E·T·凯珀 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/30 | 分类号： | H01F41/30;H01F10/32;H01L43/12;G11B5/39;G01R33/09;G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,陈霁 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造GMR型自旋阀结构(1)的方法。这样一种结构包括一磁性层(11a11b)、一非磁性层(15)和一铁磁材料传感层(17)的叠层。为了获得具有很好GMR效应的自旋阀结构，该方法包括下列特定步骤传感层铁磁材料的氧化；在被氧化的铁磁材料上淀积铝；利用来自被氧化的铁磁材料的氧氧化被淀积的铝。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 自旋 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造巨磁阻型自旋阀结构的方法，该结构包含一磁性层、一非磁性层和一铁磁材料传感层的叠层，该方法包含这些步骤，氧化传感层铁磁材料的步骤，随之以在被氧化的传感层铁磁材料上淀积铝的步骤，其后利用被氧化的传感层铁磁材料的氧将该铝氧化成氧化铝膜。
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