[发明专利]用于半导体蚀刻室的内衬无效
| 申请号： | 01803460.8 | 申请日： | 2001-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN1394351A | 公开（公告）日： | 2003-01-29 |
| 发明（设计）人： | J·S·布洛姆;A·T·海曼;M·施巴塔 | 申请（专利权）人： | 纳幕尔杜邦公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘元金,姜建成 |
| 地址： | 美国特拉华*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种保护用于制造半导体的室内部和圆顶内部的内衬。该内衬能够保护圆顶和室不受由产生等离子体场和干蚀刻过程的副产物引起的腐蚀。另外，本发明描述的内衬在产生等离子体场所诱发的条件下有很长的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 蚀刻 内衬 | ||
【主权项】：
1.一种内衬，用于干蚀刻室顶盖内部，包含一种高性能树脂。
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