[发明专利]磁记录介质,磁记录介质的制造方法,以及磁记录装置无效
| 申请号： | 01803727.5 | 申请日： | 2001-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN1395726A | 公开（公告）日： | 2003-02-05 |
| 发明（设计）人： | 桐野文良;稻叶信幸;若林康一郎;竹内辉明;水村哲夫;日永田晴美;小沼刚;神田哲典;松沼悟;曾谷朋子 | 申请（专利权）人： | 日立麦克赛尔株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/84 | 分类号： | G11B5/84;G11B5/65;G11B5/738;G11B5/02;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 范明娥,张平元 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的磁记录介质包括，在基板1上依次有MgO层2、第1控制层3、第2控制层4、磁性层5及保护层6。MgO层是采用ECR溅射法形成的，该层是六方晶系，在一定方位结晶定向。在MgO层上，采用与磁性层的晶格常数之差为5％以下的材料及组成，在MgO层上形成2层或以上的金属控制层。由于这些控制层的存在，反映MgO层结构的磁性层进行良好的外延生长，在磁性层中可以实现适于高密度记录的Co(11.0)。因此，提供一种可超过40Gbit/英寸2的超高密度记录的磁性记录介质。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 制造 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录介质，其中包括：基板和；用于记录信息的磁性层和；位于上述基板和上述磁性层之间的结晶质基层；上述基层是通过共振吸收而产生等离子体，使产生的等离子体冲撞靶子，溅射出靶粒子，通过在上述基板和上述靶子之间施加偏电压，把溅射出的靶粒子一边诱导至上述基板上一边使其堆集而形成。
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