[发明专利]发光二极管及半导体激光有效
| 申请号： | 01804240.6 | 申请日： | 2001-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1397095A | 公开（公告）日： | 2003-02-12 |
| 发明（设计）人： | 太田裕道;折田政宽;细野秀雄;河村贤一;猿仓信彦;平野正浩 | 申请（专利权）人： | 科学技术振兴事业团;太田裕道;折田政宽 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/363;H01S5/327 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 虽可确认出于Sr2Cu2O2膜上成膜n型ZnO并显现出二极管特性，然而未能确认出来自二极管的发光。本发明是于显示出已层合于透明基板上的发光特性的n型ZnO层上，层合Sr2Cu2O2、CuAlO2或CuGaO2而成的p型半导体中的一种所形成的p－n接合而成为特征的半导体紫外线发光组件。透明基板为单晶基板，尤其以已平坦化成原子状的三氧化二钇部分安定化氧化锆(YSZ)(111)基板即可。于透明基板上，在基板温度200～1200℃成膜n型ZnO，再者于其上成膜由SrCu2O、CuAlO2或CuGaO2而成的p型半导体层。在不加热基板下，成膜n型ZnO层，照射紫外线至该ZnO膜上，亦可进行结晶化。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 半导体 激光 | ||
【主权项】：
1、一种紫外线发光二极管，其特征在于表示仅已于透明基板上层合的能带隙附近的固有发光的n型ZnO层上，层合由SrCu2O2、CuAlO2或CuGaO2而成的p型半导体中的一种并予形成的p-n接合而成。
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