[发明专利]超微粒子混晶氧化物及其制造方法和用途有效
申请号: | 01804495.6 | 申请日: | 2001-02-02 |
公开(公告)号: | CN1398240A | 公开(公告)日: | 2003-02-19 |
发明(设计)人: | 田中淳;富川伸一郎 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | C01G23/07 | 分类号: | C01G23/07 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 段承恩,陈海红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及超微粒子混晶氧化物的制造方法,其特征在于在用氧化性气体高温氧化卤化金属的金属氧化物的气相制造方法中,卤化金属是含有选自钛、硅和铝的氯化物、溴化物、碘化物的至少两种或以上不同金属元素的化合物的混合气体(混合卤化金属气体),将该混合卤化金属气体和氧化性气体分别预热到500℃以上之后进行反应,制造BET比表面积为10~200m2/g的、含有混晶状态的原始粒子的超微粒子混晶氧化物;还涉及通过该方法制备的超微粒子氧化物及该氧化物的用途。 | ||
搜索关键词: | 微粒子 氧化物 及其 制造 方法 用途 | ||
【主权项】:
1.一种超微粒子混晶氧化物的制造方法,其特征在于在用氧化性气体中高温氧化卤化金属的金属氧化物的气相制造方法中,卤化金属是含有选自钛、硅和铝的氯化物、溴化物、碘化物的至少两种以上不同金属元素的化合物的混合气体(混合卤化金属气体),通过将该混合卤化金属气体和氧化性气体分别预热到500℃或以上之后,分别以10m/秒或以上的流速供给到反应管中进行反应,制造BET比表面积为10~200m2/g的、含有混晶状态的原始粒子的超微粒子混晶氧化物;
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