[发明专利]半导体集成电路器件有效
| 申请号： | 01804803.X | 申请日： | 2001-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN1398407A | 公开（公告）日： | 2003-02-19 |
| 发明（设计）人： | 石桥孝一郎;山冈雅直;宿利章二;柳泽一正;西本顺一;青木正和 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C29/00;H01L27/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 关于具有多层布线和铜布线的半导体集成电路器件，降低缺陷挽救和调整的成本。利用第1层多晶硅作为浮置栅极的非易失性存储元件，存储用于挽救半导体中存储单元阵列缺陷的地址等。或者，在半导体集成电路器件的测试中对上述非易失性存储元件进行编程。形成非易失性存储元件，却不需要特别的工艺。就是，可用CMOS器件的形成工艺，形成非易失性存储元件。并且，在测试中进行编程，因而不需要用于编程的激光器等装置，能够缩短程编程上需要的时间，因而可以降低测试成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体集成电路器件，其特征是：具有包括存储单元的存储单元阵列、上述存储单元阵列中存在有缺陷的缺陷存储单元时，用于置换上述缺陷存储单元的冗余存储单元、按照上述缺陷存储单元，用于存储挽救地址信息的非易失性存储器、根据存入上述非易失性存储器内的挽救地址信息，转换并控制从上述存储单元阵列来的输出和从上述冗余存储单元来的输出的连接的挽救译码器；上述非易失性存储器是，具有沿半导体衬底的主表面设置的第1导电类型的第1半导体区和第2导电类型的第2半导体区、介以上述第1和第2半导体区及绝缘膜配置的浮置栅极；通过对上述第1半导体区内配置的第2导电类型的源区与漏区和上述第2半导体区施加规定的电压，可以进行擦去或写入。
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