[发明专利]活化高能射线束硬化型导电糊、导体电路基片的制造方法及装置以及非接触式ID及其制造方法无效
| 申请号： | 01805313.0 | 申请日： | 2001-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN1404612A | 公开（公告）日： | 2003-03-19 |
| 发明（设计）人： | 鹤田洋明;中村稔;秋田雅典;伊藤釭司;森俊裕 | 申请（专利权）人： | 东洋油墨制造株式会社;东丽工程株式会社 |
| 主分类号： | H01B1/20 | 分类号： | H01B1/20;H05K3/12;G06K19/07 |
| 代理公司： | 北京银龙专利代理有限公司 | 代理人： | 熊志诚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种活化高能射线束硬化型导电糊、使用活化高能射线束硬化型导电糊的导体电路的制造方法及其装置，以及使用活化高能射线束硬化型导电糊的非接触式ID及其制造方法。本发明的活化高能射线束硬化型导电糊，是含有导电性物质和活化高能射线束聚合性化合物的导电糊，将由上述导电糊除去上述导电性物质后的组合物，用加速电压150kV、照射射线量40kGy的电子射线硬化时，硬化物的内部应力为5～50MPa。 | ||
| 搜索关键词： | 活化 高能 射线 硬化 导电 导体 路基 制造 方法 装置 以及 接触 id 及其 | ||
【主权项】：
1.一种活化高能射线束硬化型导电糊，它是含有导电性物质和活化高能射线束聚合性化合物的导电糊，其特征在于，将由上述导电糊除去上述导电性物质后的组合物，用加速电压150kV、照射射线量40kGy的电子射线硬化时，硬化物的内部应力为5～50MPa。
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