[发明专利]依照干涉图案对衬底上材料的选择性沉积无效
| 申请号： | 01807758.7 | 申请日： | 2001-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN1422388A | 公开（公告）日： | 2003-06-04 |
| 发明（设计）人： | R·S·莫什莱夫扎德;T·A·拜伦 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30;G02B5/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 揭示了在衬底上优先沉积材料的方法。材料可通过把电磁干涉图案引导到衬底上来选择性地加热符合干涉图案最大值的衬底区域上优先沉积。然后把衬底暴露在能够根据表面温度在表面上优先积累的气相材料之下。 | ||
| 搜索关键词： | 依照 干涉 图案 衬底 材料 选择性 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种在衬底表面优先沉积材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：把两束或更多束相干电磁束引导到在衬底表面上的一个区域上，从而形成电磁干涉图案，根据干涉图案优先加热一部分衬底表面，其中把柱面透镜放置在至少一个电磁束的路径中；并且根据干涉图案，通过把衬底暴露在气相中的材料下，在衬底表面上选择性沉积材料，所述材料能够作为表面温度的函数进行优先积累。
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