[发明专利]用于将砷掺杂剂加入硅晶体生长工艺中的方法和装置无效
| 申请号： | 01810286.7 | 申请日： | 2001-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN1432075A | 公开（公告）日： | 2003-07-23 |
| 发明（设计）人： | C·F·切尔科;M·巴纳;M·库尔卡尼 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 马江立,吴鹏 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在硅晶体生长机中，将砷掺杂剂通过一密封的供料管加入硅熔体中，该密封的供料管具有一个浸入硅熔体表面下方的开口端。然后将所产生的砷蒸汽直接加入硅熔体体积中，使在硅熔体上方的晶体生长器体积内的砷蒸汽损失为最小。掺杂剂供料管可以制成为一个组件或制成为一个分离的组件，上述组件连接到晶体生长器籽晶夹上并用籽晶夹驱动机构下放到硅熔体中，而上述分离的组件可以通过硅熔体上方晶体生长器室壁中的一个通入口向硅熔体中伸出或从中缩回。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 掺杂 加入 晶体生长 工艺 中的 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于将一种掺杂剂供给到晶体生长器内硅熔体中的供料管组件，它包括：一个细长的供料管，该供料管具有一个开口的上端和一个开口的下端；一个封闭室，该封闭室围绕并封闭供料管开口的上端设置，并形成在其中装入预定量的掺杂剂固体材料；供料管开口的上端伸入该室内足够的距离，以便当供料管设置成处于直立位置时，预定量的掺杂剂粒状固体材料是在供料管上端的下方。
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