[发明专利]微电子压电结构无效
| 申请号： | 01813280.4 | 申请日： | 2001-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN1511350A | 公开（公告）日： | 2004-07-07 |
| 发明（设计）人： | 拉马默西·拉麦士;王玉;詹福瑞·M·芬德;库特·艾森比萨;于志毅;拉文卓诺斯·卓柏德 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L41/22 | 分类号： | H01L41/22;H01L41/08;C30B25/18;C30B29/22 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过首先在硅晶片上生长一个钛酸锶层(104)，可以在大硅晶片上生长高质量的单晶Pb(Zr，Ti)O3外延层(110)。该钛酸锶层(104)为单晶层，与所述硅晶片之间隔有一个氧化硅无定形中间层(116)。 | ||
| 搜索关键词： | 微电子 压电 结构 | ||
【主权项】：
1.一种钙钛矿型异质结构，包括：一个单晶硅衬底；一个覆在所述硅衬底上的包含(Sr，Ba)TiO3的第一单晶氧化物层；一个覆在所述第一层上的包含(La，Sr)CoO3的第二单晶层；一个覆在所述第二单晶层上的包含Pb(Zr，Ti)O3的第三单晶层；和一个覆在所述第三单晶层上的包含(La，Sr)CoO3的第四单晶层。
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