[发明专利]基本上没有氧化诱生堆垛层错的掺氮硅无效
| 申请号： | 01815935.4 | 申请日： | 2001-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1461360A | 公开（公告）日： | 2003-12-10 |
| 发明（设计）人： | H·哈加;T·奥希马;M·巴纳 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及锭状或片状单晶硅，及一种用于制备单晶硅的方法，上述单晶硅含有一个其中空位是主要本征点缺陷的轴向对称区域，并且基本上没有氧化诱生堆垛层错和掺入氮以便使其中氧沉淀核稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 基本上 没有 氧化 堆垛 掺氮硅 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅锭，具有一个中心轴线，一个籽晶端，一个对面端，和一个在籽晶端与对面端之间的恒定直径部分，该恒定直径部分具有一个侧表面和一个从中心轴线延伸到侧表面的半径R，单晶硅锭按照直拉法从硅熔体中生长和然后由固化进行冷却，该单晶硅锭的特征在于；a.恒定直径部分包括一个轴向对称区域，在该轴向对称区域中空位是主要的本征点缺陷，轴向对称区域一般是圆柱形形状，并具有一个从中心轴线延伸的半径ras，其中ras至少为约0.95R，轴向对称区域具有一个如沿着晶锭恒定直径部分长度至少约20％的中心轴线测得的长度；b.轴向对称区域包括浓度为约1×1013原子/cm3-约1×1015原子/cm3的氮；和c.轴向对称区域还包括在侧表面向内约5-6mm处浓度在约7ppma和约10.5ppma之间的氧；及d.轴向对称区域基本上没有形成氧化诱生堆垛层错的核。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于MEMC电子材料有限公司，未经MEMC电子材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01815935.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：图像处理设备
- 下一篇：用于同步通信系统中的接收机和发射机的设备
