[发明专利]氧化物材料、氧化物薄膜的制造方法以及使用该材料的元件无效
| 申请号： | 01817413.2 | 申请日： | 2001-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN1469842A | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 木岛健;石原宏 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社;东京工业大学校长代表的日本国 |
| 主分类号： | C01B13/14 | 分类号： | C01B13/14;C01G29/00;H01L27/10;H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 胡烨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了在钙钛矿型或层状钙钛矿型晶格结构的氧化物中固溶含有选自Si、Ge、Sn的1种以上的IV族元素的催化物质的氧化物材料。该钙钛矿型或层状钙钛矿型晶格结构的氧化物材料在低温下可结晶化，能够维持或改善这些氧化物材料的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 材料 薄膜 制造 方法 以及 使用 元件 | ||
【主权项】：
1.氧化物材料，其特征在于，在钙钛矿型或层状钙钛矿型晶格结构的氧化物中固溶含有选自Si、Ge及Sn的1种以上的元素的催化物质而形成。
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