[发明专利]微结构的制造方法有效

专利信息
申请号: 01821809.1 申请日: 2001-12-21
公开(公告)号: CN1527960A 公开(公告)日: 2004-09-08
发明(设计)人: 马克思·史密特 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: G03F7/40 分类号: G03F7/40;G11B5/127;H01L21/033
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 李德山
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 提供了一种具有高纵横比的金属微结构的制造方法,其中包括在基底上用光刻法产生沟槽。在上述沟槽的内表面形成聚合物链。这样,光刻工艺中的关键尺寸可被降至零以上的任何尺寸。此方法的应用十分广泛,可用于包括由光刻法来确定关键尺寸的任何工艺。它可直接应用于缩小薄膜磁头的读写尺寸,但该发明可被用于制造具有高纵横比的微结构的任何工艺。
搜索关键词: 微结构 制造 方法
【主权项】:
1.微结构(32、44、58)的制造方法,包括在光致抗蚀剂上光刻产生沟槽的步骤,该方法包括在所述沟槽(34)的内表面上采用聚合物移接技术形成聚合物刷(28)的步骤。
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