[发明专利]掺镁化学比铌酸锂周期极化微结构晶体的制备工艺无效
| 申请号： | 02100623.7 | 申请日： | 2002-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN1379127A | 公开（公告）日： | 2002-11-13 |
| 发明（设计）人： | 陈云琳;许京军;孔勇发;张光寅 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B15/02;C30B31/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 天津市学苑有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 解松凡 |
| 地址： | 30007*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明是一种制备掺镁化学比铌酸锂周期极化微结构晶体的工艺,属于非线性光学晶体材料技术领域。由于通常条件下生长出来的同成分本征铌酸锂晶体存在耐光损伤性能低、晶体组分波动大、均匀性和一致性差等缺点,不符合集成光学的要求,特别是制备周期极化全光微结构晶体时需要外加极高的电场,这带来许多困难,限制了晶体的使用。为此,本发明提供了一种解决这些技术问题的制备掺镁化学比铌酸锂周期极化微结构晶体的工艺,其技术方案是利用掺镁铌酸锂粉料,采用Czochralski晶体生长法制备铌酸锂晶体,再用汽相平衡扩散输运技术提高晶体组分的均匀性,在室温下低压极化,使晶体具有周期性的结构,该晶体可以广泛应用于倍频、差频、和频和光参量振荡等变频技术中。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 铌酸锂 周期 极化 微结构 晶体 制备 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种掺镁化学比铌酸锂周期极化微结构晶体的制备工艺，是利用Czochralski提拉法、切片等技术制备晶体，其特征在于采用Czochralski提拉法生长晶体时掺镁，之后进行汽相平衡扩散输运工艺，最后使用高压极化电场对晶体进行周期性极化。
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