[发明专利]用于超高密度记录的垂直磁薄膜无效
| 申请号： | 02101586.4 | 申请日： | 2002-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN1366298A | 公开（公告）日： | 2002-08-28 |
| 发明（设计）人： | 李炅珍;李宅东;李仁善;黄玟植 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;韩国科学技术院 |
| 主分类号： | G11B5/62 | 分类号： | G11B5/62 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种垂直磁记录介质。该垂直磁记录介质具有一个用于引起一个垂直磁记录层的垂直取向的底层,它被叠置在一个基底与该垂直磁记录层之间,且该垂直磁记录层的厚度被控制在5－40nm之内以具有一个负的成核场。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 超高 密度 记录 垂直 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种垂直磁记录介质，其中用于引起一个垂直磁记录层的垂直取向的一个底层被叠置在一个基底和该垂直磁记录层之间，其中该垂直磁记录层的厚度被控制在5-40nm的范围内以具有一个负的成核场。
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