[发明专利]消除由化学收缩辅助清晰度提高的平印工艺中轮廓失真的方法有效
| 申请号： | 02101889.8 | 申请日： | 2002-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN1432876A | 公开（公告）日： | 2003-07-30 |
| 发明（设计）人： | 许伟华;林顺利 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/26 | 分类号： | G03F7/26 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科 *** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供图案化光阻在底材上，在此数个离子被形成在图案化光阻上，这些离子在图案化光阻侧壁的密度大于这些离子在图案化光阻的顶部的密度。处理图案化光阻，使得这些离子在图案化光阻侧壁的密度大约等于这些离子在图案化光阻顶部的密度。以反应层覆盖图案化光阻，在此反应层与这些离子间的反应会形成一络接层。以及移除未络接的部份反应层。可以用热处理/光照射处理图案化光阻，也可以在反应层形成后再处理图案化光阻。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 化学 收缩 辅助 清晰度 提高 工艺 轮廓 失真 方法 | ||
【主权项】：
1.一种消除由化学收缩辅助清晰度提高的平印工艺中轮廓失真的方法，其特征在于，包括：提供一底材；形成一光阻在该底材上；图案化该光阻，以形成一图案化光阻在该底材上，并形成数个离子在该图案化光阻上：以及处理该图案化光阻，使得这些离子在该图案化光阻侧壁的密度接近这些离子在该图案化光阻顶部的密度。
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