[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 02103173.8 | 申请日： | 2002-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN1369918A | 公开（公告）日： | 2002-09-18 |
| 发明（设计）人： | 大西照人;高木刚;浅井明;藤井泰三;杉浦三津夫;南善久 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/93 | 分类号： | H01L29/93;H01L27/04;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种包含电容量变化范围大的变容元件的半导体装置及其制造方法。变容元件VAR具备含可变电容区域56a的N+层56、在N+层56上由外延生长形成的由SiGe膜和Si膜组成的P+层61、以及P型电极62。NPN－HBT具备与变容元件VAR的N+层56同时形成的集电极扩散层57、集电极层59、与变容元件的P+层21同时外延生长形成的Si/SiGe层79。因为在变容元件VAR的PN结部形成的耗尽层的延伸范围能够确保达到N+层56全部、就能抑制电容变化范围的低下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，是具备变容元件的半导体装置，其特征在于：所述变容元件具备：第1导电型的第1半导体层、设在所述第1半导体层上，由外延生长形成的第2半导体层；在所述第1半导体层和所述第2半导体层的界面部上形成具有可变电容功能的PN结部。
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